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高周波プローブ lZl Probe 製品ラインナップ
PCB |Z| Probe プリント基板用高周波プローブ
コスト高なテスト・フィクスチャーに代わる低価格なコンタクト方法で量産テストに最適です。
特長
- PCB、ICピン、セラミック基板への直接コンタクトに最適。
周波数帯域は4GHz標準、特注で20GHzまで対応
- 高電力（30W)を供給可能
- セラミック製とPCB製の校正基板を供給
PCB lZl Probe "04 P3S GSG 500"
| 特性インピーダンス | 50Ω |
| 周波数 | DC〜4ＧＨｚ （特注で20GHz) |
| 反射損失 | ≦-27dB DC〜4GHz |
| 挿入損失 | ≦0.25dB DC〜4GHz |
| 最大電力 | 30W |
| 接触抵抗（金パッド） | ＜0.1Ω |
| コンタクトスプリング | ステンレスに金メッキ |
| 絶縁体 | PEEK |
| 接触回数 | 5万回以上 |
| 推奨接触圧力（GSG) | 3N |
| 推奨接触圧力（GS/SG) | 2N |
| 標準ピッチ（μm) | 500、650、800、1000、1250、1500、2000、2500
その他特注可能 |
| コネクタ形式 | PC3.5mm メス型 |
| 推奨締め付けトルク | 0.8〜1.1Nm |
| 外周材質 | ステンレス |
| 中心導体材質 | ベリリウム・銅に金メッキ |
| 絶縁体 PS | 使用環境温度 -65℃〜125℃ |
|Z| Probe SG/GS 高周波ウェハ・プローブ
SG/GS構成は、フットプリントに依存せず高精度で高スループットなウェハレベル測定を実現。10GHzまでの帯域幅を持ち、接触の安定性および高再現性はSAWデバイスのテストなどに最適です。
特長
- MEMS技術による完全対象なコンタクト構造で優れた
電気特性と最小クロストークを保証
- 高電力供給が可能、最小直流抵抗をアルミパッドでも実現
- プローブの先端とパッドへの衝撃を最小に抑え、
オーバートラベルによる事故を回避できるので自動テストに最適
- -100℃〜200℃の温度範囲でも安定した接触
Type 10K×N GS/SG
| 特性インピーダンス | 50Ω |
| 周波数 | DC〜10ＧＨｚ |
| 反射損失 | ≦-20dB DC〜10GHz (100μm〜250μmピッチ） |
| 挿入損失 | ≦0.6dB DC〜10GHz |
| 最大電力 | 5W |
| 接触抵抗 | ＜6mΩ（金パッド）、＜30mΩ（アルミ） |
| コンタクトスプリング | ニッケル |
| 絶縁体 | 高周波誘電体 |
| 接触回数（アルミ） | 100万回以上 |
| コンタクトスプリング圧力 | 4N/mm |
| 製作可能ピッチ（μm) | 100、125、150、200、250、300、350、450、500、550、600、650、700、750、800、850、900、950、1000、1050、1100、1150、1200、1250
50、75、175、225、275、325、375、425、475 |
| コネクタ形式 | PC2.92mm メス型 |
| 推奨締め付けトルク | 0.8〜1.1Nm |
| 外周材質 | ステンレス |
| 中心導体材質 | ベリリウム・銅に金メッキ |
| 絶縁体 | PS |
| 使用環境温度 | -100℃〜200℃ |
|Z|ProbeGSG高周波ウェハ・プローブ
DCから40GHzおよび50GHzの帯域幅まで対応。完全にインピーダンス整合された空気絶縁マイクロ波伝送路は、高温度領域まで安定度を保証します。
特長
- MEMS技術による完全対象なコンタクト構造で優れた電気特性と最小クロストークを保証
- 高電力供給が可能、最小直流抵抗を実現
- 最小のオーバー・トラベルで安全に正確な位置決めが可能
- 10k〜300℃の温度範囲でも安定した測定
lZlProbe"50A3N150GSG"
| 特性インピーダンス | 50Ω |
| 周波数 | DC〜50ＧＨｚ |
| 反射損失 | ≦-17dBDC〜50GHz |
| 挿入損失 | ≦1.1dBDC〜50GHz |
| 最大電力 | 5W |
| 接触抵抗 | ＜0.4Ω（金パッド） |
| コンタクトスプリング | ニッケル |
| 絶縁体 | 高周波誘電体 |
| 接触回数（アルミ） | 100万回以上 |
| コンタクトスプリング圧力 | 6N/mm最大 |
40GHz
製作可能ピッチ（μm) | 100、125、150、200、250、300、350、450、500、550、600、650、700、750、800、850、900、950、1000、1050、1100、1150、1200、1250
50、75、175、225、275、325、375、425、475 |
50GHz
製作可能ピッチ（μm) | 100、125、150、200、250、300、350、450、500、
50、75、175、225、275、325、375、425、475 |
| コネクタ形式 | PC2.4mm メス型 |
| 推奨締め付けトルク | 0.8〜1.1Nm |
| 外周材質 | ステンレス |
| 中心導体材質 | ベリリウム・銅に金メッキ |
| 絶縁体 | PEEK |
| 使用環境温度 | -100℃〜200℃(標準・型名KおよびA)
10k〜300℃(型名YおよびB) |
Dual|Z|ProbeGSGSG高周波差動プローブ
ピッチに依存せず、独立したコンタクトスプリングで高精度な機械特性と電気特性を保証します。
特長
- MEMS技術による完全対象なコンタクト構造で最小のカップリングとクロストークを保証
- 高電力供給が可能、最小直流抵抗を実現
- 先端構成はGSGSG(40GHzまで）、GSSGおよびSGS(10GHzまで)対応、その他特注可能
DuallZlProbe40K3NGSGSG、DC〜40GHZ、150μmピッチ
| 特性インピーダンス |
50Ω |
| 周波数 | DC〜40ＧＨｚ |
| 反射損失 | ≦-17dBDC〜40GHz |
| 挿入損失 | ≦0.9dBDC〜40GHz |
| 最大電力 | 各信号端子に5W |
| カップリングS1-S2 | ≦30dBDC〜40GHz(空気中、SOL校正時） |
| 接触抵抗 | ＜6mΩ（金パッド）、＜30mΩ（アルミ） |
| コンタクトスプリング | ニッケル |
| 絶縁体 | 高周波誘電体 |
| 接触回数（アルミ） | 100万回以上 |
| コンタクトスプリング圧力 | 10N/mm |
| 製作可能ピッチ（μm) | 100、125、150、200、250、500 |
| コネクタ形式 | PC2.92mm メス型 |
| 推奨締め付けトルク | 0.8〜1.1Nm |
| 外周材質 | ステンレス |
| 中心導体材質 | ベリリウム・銅に金メッキ |
| 絶縁体 | PS |
| 使用環境温度 | 10kから300℃ |
Dual|Z|ProbeGSSG/SGS高周波差動プローブ
ピッチに依存せず、独立したコンタクトスプリングで高精度な機械特性と電気特性を保証します。
特長
- MEMS技術による完全対象なコンタクト構造で最小のカップリングとクロストークを保証
- 高電力供給が可能、最小直流抵抗を実現
- 先端構成はGSGSG(40GHzまで）、GSSGおよびSGS(10GHzまで)対応、その他特注可能
lZlProbeGSSG/SGSの仕様はGSGSGと同様です。
| 周波数 |
DC〜10ＧＨｚ |
| 製作可能ピッチ（μm)
| 100、125、150、200、250、500 |
Multi|Z|Probeマルチ高周波プローブ
DC〜25GHzまでの周波数幅でかつてない自由度の大きなRFマルチポート測定環境を提供します。
特長
- １プローブ内に最大8本のRF信号線を組み込めるRFマルチポートプローブ
- 使用していないRF信号線をDC線として使用可能、よって１つのプローブで精確なRFとＤＣ測定を実現
- 高価なプローブカードとの置き換えが可能
- プローブ内に並列抵抗、バラン、キャパシタなどの個別部品の組み込みが可能
MultilZlProbe
| 特性インピーダンス | 50Ω |
| 周波数 | DC〜25ＧＨｚ |
| 反射損失 | ≦-17dBDC〜15GHz、≦-13dBDC〜25GHz |
| 挿入損失 | ≦1.5dBDC〜15GHz、≦4dBDC〜25GHz |
| コンタクトスプリング | ニッケル |
| 絶縁体 | 高周波誘電体 |
| 接触回数（アルミ） | 100万回以上 |
| 推奨接触圧力 | 10N/mm |
| 標準ピッチ（μm) | 100、125、150、200、250、500 |
| コネクタ形式 | SMP(40GHzサブミニチュアコネクタ） |
| アダプタケーブル | SMP(オス）-SMA(メス）長さ80cm、その他特注可能 |
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