同軸共振器法
非破壊で簡単な測定作業を実現

平坦な面を有するサンプルであれば、共振器の上に置くだけで非破壊の誘電率測定ができます。
この画期的な測定方法は、共振器上部の開口部から漏えいするエバネッセント波と呼ばれる近接場を用いる独自の技術によって実現しました。
測定前のサンプル加工が不要なので、手軽に誘電率測定を行うことができます。
特 長
- エバネッセント波を用いた開放型同軸共振器による測定
- 共振器上部に小径の開口部があり、そこからはみ出るわずかな近接場(エバネッセント波)が測定サンプルに浸潤し、共振器全体の共振周波数、Q値がサンプルの複素誘電率に応じて変化します。その変化量から誘電率を算出します。
- 非破壊で簡単な測定作業
- 開放型共振器であるため、様々な形状のサンプルが測定できます。サンプルを共振器の上に置くだけで短時間に測定できます。
- 安定した測定
- 測定設置部に真空吸着機構を設けることで、測定面に常に安定した接触状態を維持できます。
用 途
以下のようなサンプルの測定に適しています。- 携帯端末の筐体部品
- 多ピンコネクタのモールド樹脂
- 各種素材開発品
仕 様
測定周波数 (1つの共振器 で 5点 ) |
Type A | 0.8 / 2.45 / 4.2 / 5.8 / 7.6GHz |
---|---|---|
Type B | 1 / 3.1 / 5.2 / 7.3 / 9.4GHz | |
Type C | 2 / 6.1 / 10.2 / 14.3 / 18.4GHz | |
測定範囲 | 比誘電率(Dk):1~15 誘電正接(Df/tanδ):0.1~0.001 | |
測定精度 | 比誘電率(Dk):±1% 誘電正接(Df/tanδ):±5% | |
サンプル形状 | 厚さ0.5mm 以上、10mm×10mm 以上の平坦・平滑な面が必要 |
本測定装置は、東京大学大学院総合文化研究科 前田研究室との産学協同開発として、川崎市より認定された事業の成果です。(特許番号3691812)
本測定システムの測定原理に関する論文がIEEE Microwave Theory And Techniques論文誌に発表されました。
R. Inoue, et al., "Data Analysis of the Extraction of Dielectric Properties
From Insulating Substrates Utilizing the Evanescent Perturbation Method",
IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 54,no. 2, pp. 522-532, Feb. 2006.
エバネッセント波による測定
共振器上部の小さな開口部から漏えいするエバネッセント波と呼ばれる近接場が測定サンプルに浸潤することで 測定サンプルの誘電率特性によって共振特性が変化します。
測定サンプルの表面近傍の局所的な領域の誘電率特性を測定します。
※ 測定対象は均一組成である必要があります。
プリント基板のような層構成の素材や複合材料の場合、表層に存在する物質の誘電率特性が測定結果に反映されます。

専用ソフトウェアによる簡単操作
測定ウィザード画面に沿って作業することで簡単に測定できるように設計されています。
